|
|
* Приобретение товара по данной цене возможно только при предварительном заказе через сайт. При покупке товара непосредственно в магазине по адресу ул. Победы 63 цены будут розничные.
1
2
3
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1066 МГц CAS Latency (CL): 7
- 1 модуль памяти DDR
- объем модуля 1 Гб
- форм-фактор SODIMM, 200-контактный
- частота 333 МГц
- CAS Latency (CL): 2,5
- 1 модуль памяти DDR
- объем модуля 1 Гб
- форм-фактор SODIMM, 200-контактный
- частота 400 МГц
- 1 модуль памяти DDR
- объем модуля 1 Гб
- форм-фактор SODIMM, 200-контактный
- частота 400 МГц
- CAS Latency (CL): 3
- 1 модуль памяти DDR
- объем модуля 1 Гб
- форм-фактор SODIMM
- частота 400 МГц
- 1 модуль памяти DDR2
- объем модуля 1 Гб
- форм-фактор SODIMM, 200-контактный
- частота 800 МГц
- 1 модуль памяти DDR2
- объем модуля 1 Гб
- форм-фактор SODIMM, 200-контактный
- частота 800 МГц
- CAS Latency (CL): 5
- 1 модуль памяти DDR2
- объем модуля 1 Гб
- форм-фактор SODIMM
- частота 667 МГц
- CAS Latency (CL): 5
- 1 модуль памяти DDR2
- объем модуля 1 Гб
- форм-фактор SODIMM, 200-контактный
- частота 800 МГц
- CAS Latency (CL): 6
- 1 модуль памяти DDR2
- объем модуля 1 Гб
- форм-фактор SODIMM, 200-контактный
- частота 800 МГц
- CAS Latency (CL): 5
- 1 модуль памяти DDR2
- объем модуля 1 Гб
- форм-фактор SODIMM
- частота 800 МГц
- CAS Latency (CL): 6
- 1 модуль памяти DDR2
- объем модуля 2 Гб
- форм-фактор SODIMM, 200-контактный
- частота 800 МГц
- CAS Latency (CL): 5
- 1 модуль памяти DDR2
- объем модуля 2 Гб
- форм-фактор SODIMM, 200-контактный
- частота 800 МГц
- CAS Latency (CL): 5
- 1 модуль памяти DDR2
- объем модуля 2 Гб
- форм-фактор SODIMM
- частота 667 МГц
- CAS Latency (CL): 6
- 1 модуль памяти DDR2
- объем модуля 2 Гб
- форм-фактор SODIMM, 200-контактный
- частота 800 МГц
- CAS Latency (CL): 6
- 1 модуль памяти DDR2
- объем модуля 2 Гб
- форм-фактор SODIMM
- частота 800 МГц
- CAS Latency (CL): 6
- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 1 Гб
- форм-фактор SODIMM, 204-контактный
- частота 1333 МГц
- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 2 Гб
- форм-фактор SODIMM, 204-контактный
- частота 1333 МГц
- CAS Latency (CL): 9
- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 2 Гб
- форм-фактор SODIMM, 240-контактный
- частота 1333 МГц
- CAS Latency (CL): 9
- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 2 Гб
- форм-фактор SODIMM, 204-контактный
- частота 1333 МГц
- CAS Latency (CL): 9
- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 2 Гб
- форм-фактор SODIMM, 204-контактный
- частота 1333 МГц
- CAS Latency (CL): 9
- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 2 Гб
- форм-фактор SODIMM, 204-контактный
- частота 1333 МГц
- CAS Latency (CL): 9
- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 2 Гб
- форм-фактор SODIMM, 204-контактный
- частота 1600 МГц
- CAS Latency (CL): 11
- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 4 Гб
- форм-фактор SODIMM, 204-контактный
- частота 1333 МГц
- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 4 Гб
- форм-фактор SODIMM, 204-контактный
- частота 1333 МГц
- CAS Latency (CL): 9
1
2
3
|
|